Spännande! Samsung tillkännagav massproduktion av 1TB eUFS2.1

  Idag meddelade Samsung Electronics den officiella produktionen av eUFS2.1 med 1 TB lagringskapacitet. Den använder Samsungs femte generationens V-NAND-teknik.

I samma förpackningsstorlek (11,5 mm x 13,0 mm) dubblerar 1TB eUFS-lösningen kapaciteten i den tidigare 512 GB-versionen, med 16 staplade Samsungs mest avancerade 512 Gigabit (Gb) V-NAND-flash och nya utvecklade . Den nya eUFS-hastigheten upp till 1000MB / s per sekund, med slumpmässig läsning och skrivning av 58.000 IOPS respektive 50.000 IOPS, en ökning med 38% över 512GB.

Samsung planerar att expandera sin femte generationens 512Gb V-NAND-produktion vid sin Pyeongtaek-anläggning i Sydkorea under första halvåret 2019 för att fullt ut kunna uppfylla den starka efterfrågan hos globala mobila enheter för 1TB eUFS.

Vissa människor kanske inte vet kraften i Samsungs eUFS. Låt oss ta en titt på den officiella introduktionen:

Jämfört med eMMC uppvisar eUFS högre prestanda vad gäller läshastighet och sekventiell läshastighet på upp till 40%. När du optimerar USB 3.1-prestanda på system (Gen1 5Gbps, Gen2 10Gbps), kan filkopiering förbättra prestanda med 40%.

eUFS levererar inte bara snabbare hastigheter utan minskar också energiförbrukningen, vilket ger bättre energieffektivitet. Faktum är att under samma arbetsbelastning uppvisar UFS 8% högre batteritid än eMMC. Den faktiska arbetstiden för att bearbeta samma arbetsbelastning minskar med 30%.

För närvarande har eUFS gått in på 3,0-tiden. Den kommer att lanseras under första halvåret 2019. Den första batchen kommer att ha 128 GB, 256 GB och 512 GB lagringskapacitet. Den maximala dataöverföringshastigheten är 2000MB / s, och 1TB lagringskapacitet skickas 2021.

Det rapporteras att eUFS 3.0-specifikationen släpptes i början av förra året, och enkanalbandbredden har ökats till 11,6 Gbps. Den teoretiska maxhastigheten är cirka 2,9 GB / s, vilket fördubblas jämfört med UFS 2.1 som vanligtvis används i flaggskeppsmaskinen.